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和SK海力士在EUV光刻技艺边界分说念扬镳

三星专注于晋升良率，而SK海力士则专注于恒久技艺跳动。

韩国两泰半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技艺上遴荐了不同的策略，引起了业界的高度温存。这一发展偶合两家公司齐致力于于增强其在高度动态和竞争热烈的半导体市鸠合的竞争力之际。

手脚年终组织重组的一部分，三星电子在大家制造和基础重要总辖下竖立了一个新的责任组（TF），名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提精好意思详尽半导体制造（举例 3 纳米 (nm) 代工场）良率的尽力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 开垦不断，要点是晋升光刻和追踪开垦的出产率。该团队的见地是最大截止地晋升EUV光刻开垦中使用的多样材料和组件的出产率，其中包括ASML独家供应的价值200亿好意思元的光刻机和东京电子的EUV轨说念开垦。

三星对 EUV 技艺的答允体目前其对 EUV 光刻机的多数投资。该公司已在其华城和平泽工场购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，关于出产更小、更复杂的半导体电路至关蹙迫。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，尔后在晋升其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工场的良率方面面对挑战。

比拟之下，SK海力士则遴荐了不同的作念法。该公司在本年的组织重组中结果了EUV TF，并将其并入改日技艺辩论院。此举突显了 SK 海力士对恒久技艺跳动的温存，而不是目下产量的晋升。SK 海力士于 2021 年驱动将 EUV 哄骗于其 10 纳米级第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工场运营着 10 多台 EUV 机器。

瞻望改日，SK海力士改日技艺辩论所算计将要点准备推出下一代 EUV 光刻开垦，即高数值孔径机器。SK海力士算计最早将于来岁下半年收到其第一台高NA机器。这一计策转机突显了 SK 海力士致力于于保执技艺最初地位并为半导体制造的改日跳动作念好准备。

NAND衰败时期，三星和SK海力士用逸待劳降本

三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰败时期实施“镌汰资本”投资策略。据了解，该公司最近驱动致力于于大幅减少留传NAND产量，同期将开工率较低的旧重要改革为起始进的重要。

据业内东说念主士近日显现，三星电子和SK海力士条目主要互助伙伴在本年下半年对现存NAND重要进行改革。

近来，由于PC和智高手机等IT需求低迷，NAND市集价钱呈下滑趋势。字据市集辩论公司Trend Force的数据，用于存储卡和USB的通用NAND闪存居品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定来回价钱为2.16好意思元，环比着落29.80%。

尤其是老款NAND，举例第7代，供应严重填塞。除了IT需求着落除外，日本Kiosia、中国厂商等其后者也加入了竞争。

第 7 代（V7）NAND 是存储存储器的单位堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能跟着堆叠更多单位而晋升。三星电子和SK海力士将从2021年底驱动量产第7代NAND。

相应地，国内存储器行业镌汰了7代NAND的开工率，并条目互助伙伴进行改革，将闲置的重要用作8代和9代NAND的重要。此外，还决定推迟或减少现存顶端NAND的新重要投资规画。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241227095152

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